Ветроэнергетика : преобразователи WindStack для ветрогенераторов

WindSTACK® - сборка для возобновляемых источников энергии и 4Q-конверторов
Технологии Semikron используются в более чем 50% ветроэнергетических установок по всему миру.
Интеллектуальные модули SKiiP наилучшим образом подходят для использования в ветроэнергетике. Это самые мощные силовые интеллектуальные силовые ключи на рынке, отличающиеся высокой надежностью и отличными техническими характеристиками.
Их применение позволяет разрабатывать преобразовательные устройства различного назначения с плотностью мощности более 12 кВт/л.
Как это сделано? Читайте...

Если не открылась за 20 сек, нажмите сюда - -

Semikron в Запорожье

Если верить этой информации, то получается, что Запорожье пытается вернуть себе статус "Столицы преобразовательной техники Украины"?? Иначе с чего бы это Андрей Колпаков приезжал?

SEMIKRON в Запорожье

Уважаемые коллеги!

11-го ноября в рамках выставки «ЭНЕРГИЯ 2010» будет проведен семинар, на котором основное внимание будет уделено следующим темам:

«Новые разработки SEMIKRON для применений высокой мощности»

/ Силовые сборки SKiiPRACK/WindSTACK + Модули SEMiX и драйверы SKYPER, V-IGBT /
Андрей Колпаков (старший техн.специалист, ООО СЕМИКРОН, Россия),

"SEMITOP -выгодная альтернатива дискретным полупроводниковым приборам"

Андрей Гладских (бренд-менеджер SEMIKRON, НПП Техносервиспривод)

Время и место проведения :

Начало семинара 11-30 в четверг 11-го ноября с.г. в Конференц-зале в крупнейшем выставочном центре юго-востока Украины «КОЗАК-Палац», который расположен в г.Запорожье на ул.Победы 70 Б.

Если Вы или Ваши сотрудники заинтересованы принять участие, просим сообщить заранее, чтобы обеспечить информационными материалами всех.

Сообщить об участии можно по любым нашим телефонам :
(044) 454 2559, 454 2448, 454 2517,
Е-мейл seminar@semikron.com.ua или
заполнив форму «Написать, позвонить» на сайте www.tsdrive.com

Постараемся ответить на все интересующие специалистов вопросы.

16-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ

16-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ

Посвящается 125-летию со дня основания
Национального технического университета “Харьковский политехнический институт”
Крым, Алушта, 20-25 сентября, 2010

Поэтому принимать участие советуем категорически. Море в это время теплое!!!

Организаторы конференции
Национальная Академия наук Украины
Министерство образования и науки Украины
Отделение физико-технических проблем энергетики НАН Украины
Институт электродинамики НАН Украины
Национальный технический университет “Харьковский политехнический институт”
Национальный технический университет Украины “Киевский политехнический институт”

Секции:
-Приборы и устройства силовой электроники
-Системы управления и контроля преобразователями электроэнергии
-Моделирование в силовой электронике и электроэнергетике
-Приборы и устройства биомедицинской электроники
-Технологии нано- и микроэлектроники
-Подготовка специалистов по электронике и электроэнергетике в высших учебных заведениях

Детальную информацию о конференции Вы сможете получить на сайте конференции www.promelectronika.kharkov.ua/conference

Высокотемпературный MOSFET CHT-PMOS3002

CISSOID, лидер в области высокотемпературных полупроводниковых решений, представила
VENUS, новое семейство транзисторов для высоких температур : 30V P-канальный -MOSFET

Транзисторы гарантированно работают от -55 ° C до 225 ° C. VENUS
МОП из семейства P-Channel Power CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004 и ТЭЦ -
PMOS3008 рассчитаны на соответственно 2A, 4A и 8 А максимального тока стока.
Они дополняют семейство Saturn N-канальных МОП, представленных компанией в ноябре 2009 года.
Мощные МОП от VENUS имеют відающиеся характеристики на высоких температурах . При 225 ° C, ток утечски по затвору у PMOS3002 остается ниже 50nA, причем его ток стока после выключения всего 10 мкА и задержка времени включения 30ns. Сопротивления в октрытом состоянии и входная емкость семейства нахоятся в диапазоне, соответственно, от 0.4Ω до 1.7Ω и от 150pF до 450pF.

Источник: Electronic Specifier

IGBT модули с мизерной суммарной индуктивностью

IGBT модули с суммарной индуктивностью выводов 15 нГ

Нюрнберг, 6 Ноября 2009 – SEMIKRON представляет новейшее поколение низкоиндуктивных
1200В модулей SEMITRANS IGBT, предназначенных для использования в преобразователях
мощностью 20 – 300 кВт. Теперь эти модули комплектоваться чипами V-IGBT (Fuji),
аналогичными по своим характеристикам кристаллам Trench 4. Сверхнизкая индуктивность
выводов (15 нГн) обеспечивает снижение уровня переходных перенапряжений, благодаря
чему данные силовые ключи могут применяться при повышенном напряжении на DC-шине.
Кроме этого новые IGBT отличаются более плавной характеристикой переключения и
пониженными динамическими потерями, что позволяет повысить эффективность
преобразования.

В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4 производства
Infineon, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200 В кристаллами V-IGBT от Fuji. Они будут устанавливаться в 3 типоразмерах модулей трех различных конфигураций, предназначенных для использования в 8 различных диапазонах мощности. Диапазон рабочих токов силовых ключей составляет 150A - 600A. Суммарная индуктивность выводов SEMITRANS 3 и 4 снижена до величины 15 нГн. При типовой скорости переключения IGBT, равной 5000 A/мкс, амплитуда коммутационных перенапряжений составляет при этом всего 75 В. Для силовых ключей аналогичного класса, доступных на рынке, эта величина находится в пределах 90…125 В. Новые модули будут выпускаться в базовых конфигурациях, необходимых для проектирования промышленных преобразователей: одиночные ключи, полумосты и чопперы.
Напряжение изоляции компонентов нового семейства SEMITRANS составляет 4000 В, они
комплектуются 4 типами кристаллов IGBT: IGBT2, IGBT2 fast, IGBT3, IGBT4. Модули SEMITRANS имеют 3 класса рабочего напряжения: 600В, 1200 В и 1700 В, они производятся в 3 типоразмерах корпусов стандартов 34 мм и 62 мм. Выпускается также 6-ключевой SEMITRANS 6 по схеме 3-фазного инвертора, SEMITRANS 5 для построения 3-уровневого инвертора с интегрированным токовым шунтом. В разработке находится SEMITRANS 9 с напряжением изоляции 9 кВ для железнодорожных применений.

NX- серия нового поколения IGBT модулей Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric выпустила новую NX-серию IGBT модулей, в которых применены IGBT кристаллы 6-го поколения — новейшая разработка этой компании.

Еще в 2007 году Mitsubishi Electric представила новую концепцию корпусов IGBT модулей — NX. Данная концепция основана на применении универсального базового основания (122x62 мм) для модулей с различной конфигурацией выводов и внутренней структурой. В новом поколении кристаллов применена усовершенствованная технология CSTBT (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor). Были разработаны и новые обратные диоды (FWDi) с улучшенным соотношением между напряжением (VF) и потерями переключения (Erec). Это позволило оптимизировать общий уровень потерь на модуле. В IGBT модулях на 1200 В при Tj = 125 °C VCE(Sat) = 1,7 В (тип.) и SOA (область безопасной работы) на Vcc = 900 В. В IGBT модулях 17-го класса на 1700 В при Tj = 125 °C VCE(Sat) = 2,2 В (тип.), SOA на Vcc = 1200 В.

Использование IGBT кристаллов нового поколения обеспечивает превосходные характеристики при параллельной работе модулей, а также устойчивость к короткому замыканию более 10 мкс. Максимальная температура IGBT кристаллов Tj(max) увеличена до 175 °C. Общие потери в ШИМ-инверторе примерно на 20% меньше, чем в модулях предыдущего 5-го поколения. Таким образом, выход новой NX-серии 6-го поколения IGBT модулей Mitsubishi Electric является большим шагом вперед на пути повышения эффективности преобразования энергии и сохранения природных ресурсов.

IGBT модули NX-серии обладают повышенной стойкостью к коротким термоциклам, а стойкость к длинным термоциклам (стойкость пайки) более чем в 10 раз превосходит характеристику IGBT модулей предыдущих технологий. Также для защиты по теплу во все стандартные IGBT модули NX встроен изолированный NTC-термистор.

IGBT модули выпускаются различной конфигурации: 2, 6 или 7 транзисторов в одном корпусе, а также в CIB-конфигурации (выпрямитель – инвертер – чоппер). Вся номенклатура модулей серии NX, с номиналами от 35 до 1000 А на 1200 В и от 50 до 600А на 1700В, реализована на двух вариантах основания: 122×62 и 122×122 мм.

IGBT модули 6-го поколения серии NX идеально подходят для применения в общепромышленных преобразователях, сервоприводах, фотоэлектрических инверторах, для которых требуется сочетание невысокой стоимости с высокой технологичностью. Все IGBT модули NX-серии соответствуют требованиям RoHS и сертифицированы по UL. Первые образцы IGBT модулей на 1200 В уже доступны для заказа начиная с июня 2009 года. Сейчас готовится к выходу линейка на 600 В.

Источник : сайт Силовая электроника

IGBT модули в системах защиты

Защитные цепи IGBT-модулей не смогут защить от идиотизма.
А здоровый смех -МОЖЕТ!
Смотрите видео/аудио ролик выступления Медведа :
Кремлівський карлик Мєдвєдєв розказує Ющенку про напад інопланетян, ржач!