High-voltage GaAs Power Diode ?

Високовольтний діод на арсеніді галію? На нітриді галію є, вже бачили, а це - на "старому доброму" арсеніді.

The resulting GaAs diodes meet the requirements placed on power electronics in areas such as modern industrial applications, renewable energy generation, or fully electric or hybrid vehicles.

In the medium- and high-voltage range between 600- and 1700-Volts, they supplement silicon-based and silicon carbide-based power electronics and offer improved energy efficiency, while also reducing the weight, size, and overall cost of the respective complete system.

35PE, with its products and expertise, is in an excellent position to participate in the high level of growth predicted in the power electronics market. This growth is mainly expected to be achieved in the Far East.

Herausragende Eigenschaften der GaAs-Bauelemente

• Die Speicherladung von GaAs Leistungsdioden beträgt nur ein Siebtel derjenigen aus Si
• GaAs Leistungsdioden tragen doppelt so viel Strom in Stoßspannungstests
• Übergangskapazitäten von GaAs Dioden sind um den Faktor von 5 niedriger als bei SiC
• Kleine Chipflächen
• Niedrige Defektdichte
• Sehr geringer RSDon

Applikationen

GaAs Dioden, Transistoren und IGBT können für Schaltvorgänge und Energieübertragungen mit hohen Spannungen und hoher Stromtragfähigkeit eingesetzt werden, um deutlich höhere und effizientere Leistungen mit hoher Zuverlässigkeit zu erzielen.

http://3-5pe.com/

Есть ли жизнь быстрых тиристоров?

Оказывается таки есть. Я уж думал, что они вымерли в связи с поголовным нашествием IGBT, а тут на тебе:
fast thyristor with turn-off time of as little as 20 microseconds and current rating 1,955 Amps is symmetrical blocking with forward and reverse voltage equal to 1,600 Volts
1.6килоВольтовый быстродействующий тиристор высокой плотности мощности.

Вот дейташит-а пока нет

M-серия IGBT trench-gate field-stop от STM

M-серия IGBT trench-gate field-stop от STM

Серия базируется на кристаллах третьего поколения типа "Тренч". Пакуется в корпуса 
standard TO-247 и TO-247 long-lead.
Ориентирована на малые общепромышленные приводы, а также, на использование в солнечных инверторах, источниках бесперебойного электропитания, сварочном оборудовании...
/прим. ред  - вот не пойму, зачем в solar inverters, uninterruptible power supplies, если предполагаемая hard-switching circuits operating at up to 20 kHz?? Ведь есть IGBT "Тренч-4", которая имеет явно более высокие результаты по частоте коммутации //
Кто хочет узнать детальнее :
"This article presents the 1200V IGBT M series in third generation trench-gate field-stop technology as an excellent power device solution for the above listed applications."
Хотя параметры на первый взгляд неплохие:

STATIC AND DYNAMIC PERFORMANCE
In order to analyze how the improvements in technology translate into electrical performance of the M series IGBTs, the 40A size at 100°C (STGWA40M120DF3) results have been considered as the family champion; other sized devices belonging to the same series have the same behavior at their own nominal current.

Static (V_CE(sat), I_CES): The output characteristics at 25°C and 175°C are shown in Figure 3.

Fig 3 – Output characteristic of STGWA40M120DF3

The 1200V M series device shows a V_CE(sat) of 1.85V at nominal collector current 25°C and 2.3V at the same current rating and 175°C. The positive temperature coefficient shown results in a negative feedback during functionality, so making the devices in M series suitable for an easier paralleling.

Another important feature of the new 1200V IGBT in trench gate field-stop technology is the low current leakage (I_CES) during off-state resulting less than 100μA at 1200V up to 175°C.

и всю статью можно найти здесь первая страница:

http://www.powerpulse.net/powerViews.php?pv_id=91

и вторая часть тут 

http://www.powerpulse.net/powerViews.php?pv_id=91&page=2

Fig 7 - Сравнительные характеристики потерь применительно к электроприводу небольшой мощности при токе до  30A, V_BUS=600V, f_sw=10kHz, PF=0.8, T=100°C.

IGBT модулі з Номінальним струмом до 450A для промислового застосування

Компанія International Rectifier Corp. представила комплексне сімейство IGBT модулів для потужних промислових застосувань, включаючи перетворювачі частоти для електроприводу, прилади перемикання режимів споживання енергії (SMPS), джерела безперебійного живлення (ІБП), сонячних інверторів і зварювальних робіт.

При виробництві такого сімейства використано надзвичайно стабільні та надійні технології IGBT NPT (NPT з планарним затвором  та Field-Stop  із затвором типу ТРЕНЧ (Trench)) і традиційної технології опозитних діодів, що дозволило запропонувати ряд високоефективних надійних модулів. Модулі доступні в стандартній упаковці з широким колом конфігурацій і значеннях струмів.
Сімейство дає можливість розробникам проявити гнучкість, що значно полегшує проектування систем високої потужності.
Сімейство складається з 72 модулів, що  доступні з номінальною напругою 600 В або 1200 В,
з різними показниками швидкодії (частотних властивостях) і стійкістю до коротких замикань, що дозволяює проектувальникам оптимізувати системи відповідно до на вимогах додатків в різних галузях перетворювальної техніки.
"З введенням у виробництво цього обширного портфеля, ІR, використовуючи багаторічний досвід проектування IGBT дає можливість  керування забезпеченням високої ефективності, надійності модулів, обслуговуючі різноманітні об`єкти промислового застосування", сказав Альберто Герра, віце-президент з розвитку стратегічного ринку, IR’s Energy Saving Products Business Unit.
Нові модулі IGBT доповнюють дизайн платформи ІR iMOTION ™ , яка гнучко інтегрує цифрові, аналогові та енерготехнології разом, чіпсет змішаної обробки сигналів спрощення пристрою управління двигуном і просуває на ринок швидше енергоефективні та економічні рішення.
"Широкий спектр пристроїв, доступних в стандартній промисловій упаковці дозволяє проектувальникам оптимізувати конструкцію силового перетворювача для своїх конкретних систем та їх обмежень," сказав Лльовеллін Vaughan-Едмундс, старший менеджер з маркетингу продукції, енергозберігаючі продукти Business Unit компанії IR.
Сімейство модулів компанії IR  кваліфіковано (прим.перекл. - сертифіковано, якщо бути точнішим) для застосування у промисловому класі,  має специфікацію матеріалів на екологічну сумісний і RoHS  .
Ціни на IRG5K50HF06A (600В / 50А, в корпусі POWIR 34) починається в US $ 30,10/шт в партіях від 100 штук.
Обсяги випуску для промислового виробництва доступні відразу.
Джерело: http://www.powerpulse.net/story.php?storyID=31032;s=110420141

основные характеристики модуля SEMIX453GB12E4s

Кто просил SEMIX 453-й на русском?
Вот его основные характеристики тут:
SEMIX 453GB12E4s
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)ОбозначениеНаименованиеУсловия снятия характеристикиЗначениеЕдиница измеренияIGBT-транзисторVCESнапряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 1200ВICток коллектораTj = 175 °CTc = 25 °C683АTc = 80 °C526АICnomноминальный ток коллектора 450АICRMповторяющийся максимальный ток коллектораICRM = 3 x ICnom1350АVGESнапряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером - 20 ... + 20Вtpscустойчивость к коротком замыканиюVCC = 800 В;  VGE<= 20 В;  VCES <= 1200 ВTj = 150 °C10мксTjтемпература перехода - 40 ... + 175°CОбратный диодIFпрямой токTj = 175 °CTc = 25 °C544ATc = 80 °C407AIFnomноминальный ток 450AIFRMмаксимальный повторяющийся прямой токIFRM = 3 x IFnom1350AIFSMпрямой ток перегрузкиtимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C2430ATjтемпература перехода - 40 ... + 175°CМодульIt(RMS) Tterminal = 80 °C600ATstgтемпература хранения - 40 ... + 125°CVISOLнапряжение испытания изоляциипеременное напряжение 50Гц, 1 минута4000В

Технологии интегральных драйверов IGBT -(IPM)

Технологии интегральных драйверов IGBT для применений низкой и средней мощности

Рейнхард Герцер (Reinhard Herzer), Маттиас Россберг (Matthias Roßberg), Бастиан Воглер (Bastian Vogler)
Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Интеллектуальные силовые модули (Intellectual Power Module, IPM) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в ветроэнергетических установках.

Если не открылась листалка за 20 сек -кликните на ссылку - Free Технологии интегральных драйверов IGBT -

Semikron in Facebook -новая страница

Появилась новая страница SEMIKRON в сети Facebook.
Надеемся, что обновления на ней будут появляться чаще, чем на англоязычной.
И новости окажутся полезными.