IGBT модули с мизерной суммарной индуктивностью

IGBT модули с суммарной индуктивностью выводов 15 нГ

Нюрнберг, 6 Ноября 2009 – SEMIKRON представляет новейшее поколение низкоиндуктивных
1200В модулей SEMITRANS IGBT, предназначенных для использования в преобразователях
мощностью 20 – 300 кВт. Теперь эти модули комплектоваться чипами V-IGBT (Fuji),
аналогичными по своим характеристикам кристаллам Trench 4. Сверхнизкая индуктивность
выводов (15 нГн) обеспечивает снижение уровня переходных перенапряжений, благодаря
чему данные силовые ключи могут применяться при повышенном напряжении на DC-шине.
Кроме этого новые IGBT отличаются более плавной характеристикой переключения и
пониженными динамическими потерями, что позволяет повысить эффективность
преобразования.

В дополнение к уже выпускаемым модулям SEMITRANS с чипами IGBT Trench 4 производства
Infineon, семейство SEMITRANS теперь может комплектоваться 1200 В кристаллами V-IGBT от Fuji. Они будут устанавливаться в 3 типоразмерах модулей трех различных конфигураций, предназначенных для использования в 8 различных диапазонах мощности. Диапазон рабочих токов силовых ключей составляет 150A - 600A. Суммарная индуктивность выводов SEMITRANS 3 и 4 снижена до величины 15 нГн. При типовой скорости переключения IGBT, равной 5000 A/мкс, амплитуда коммутационных перенапряжений составляет при этом всего 75 В. Для силовых ключей аналогичного класса, доступных на рынке, эта величина находится в пределах 90…125 В. Новые модули будут выпускаться в базовых конфигурациях, необходимых для проектирования промышленных преобразователей: одиночные ключи, полумосты и чопперы.
Напряжение изоляции компонентов нового семейства SEMITRANS составляет 4000 В, они
комплектуются 4 типами кристаллов IGBT: IGBT2, IGBT2 fast, IGBT3, IGBT4. Модули SEMITRANS имеют 3 класса рабочего напряжения: 600В, 1200 В и 1700 В, они производятся в 3 типоразмерах корпусов стандартов 34 мм и 62 мм. Выпускается также 6-ключевой SEMITRANS 6 по схеме 3-фазного инвертора, SEMITRANS 5 для построения 3-уровневого инвертора с интегрированным токовым шунтом. В разработке находится SEMITRANS 9 с напряжением изоляции 9 кВ для железнодорожных применений.

NX- серия нового поколения IGBT модулей Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric выпустила новую NX-серию IGBT модулей, в которых применены IGBT кристаллы 6-го поколения — новейшая разработка этой компании.

Еще в 2007 году Mitsubishi Electric представила новую концепцию корпусов IGBT модулей — NX. Данная концепция основана на применении универсального базового основания (122x62 мм) для модулей с различной конфигурацией выводов и внутренней структурой. В новом поколении кристаллов применена усовершенствованная технология CSTBT (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor). Были разработаны и новые обратные диоды (FWDi) с улучшенным соотношением между напряжением (VF) и потерями переключения (Erec). Это позволило оптимизировать общий уровень потерь на модуле. В IGBT модулях на 1200 В при Tj = 125 °C VCE(Sat) = 1,7 В (тип.) и SOA (область безопасной работы) на Vcc = 900 В. В IGBT модулях 17-го класса на 1700 В при Tj = 125 °C VCE(Sat) = 2,2 В (тип.), SOA на Vcc = 1200 В.

Использование IGBT кристаллов нового поколения обеспечивает превосходные характеристики при параллельной работе модулей, а также устойчивость к короткому замыканию более 10 мкс. Максимальная температура IGBT кристаллов Tj(max) увеличена до 175 °C. Общие потери в ШИМ-инверторе примерно на 20% меньше, чем в модулях предыдущего 5-го поколения. Таким образом, выход новой NX-серии 6-го поколения IGBT модулей Mitsubishi Electric является большим шагом вперед на пути повышения эффективности преобразования энергии и сохранения природных ресурсов.

IGBT модули NX-серии обладают повышенной стойкостью к коротким термоциклам, а стойкость к длинным термоциклам (стойкость пайки) более чем в 10 раз превосходит характеристику IGBT модулей предыдущих технологий. Также для защиты по теплу во все стандартные IGBT модули NX встроен изолированный NTC-термистор.

IGBT модули выпускаются различной конфигурации: 2, 6 или 7 транзисторов в одном корпусе, а также в CIB-конфигурации (выпрямитель – инвертер – чоппер). Вся номенклатура модулей серии NX, с номиналами от 35 до 1000 А на 1200 В и от 50 до 600А на 1700В, реализована на двух вариантах основания: 122×62 и 122×122 мм.

IGBT модули 6-го поколения серии NX идеально подходят для применения в общепромышленных преобразователях, сервоприводах, фотоэлектрических инверторах, для которых требуется сочетание невысокой стоимости с высокой технологичностью. Все IGBT модули NX-серии соответствуют требованиям RoHS и сертифицированы по UL. Первые образцы IGBT модулей на 1200 В уже доступны для заказа начиная с июня 2009 года. Сейчас готовится к выходу линейка на 600 В.

Источник : сайт Силовая электроника

IGBT модули в системах защиты

Защитные цепи IGBT-модулей не смогут защить от идиотизма.
А здоровый смех -МОЖЕТ!
Смотрите видео/аудио ролик выступления Медведа :
Кремлівський карлик Мєдвєдєв розказує Ющенку про напад інопланетян, ржач!

Стандартные IGBT модули в харьковском трамвае

Наткнулся на обсуждение темы:
Бывает и такое или "новый" старый трамвай для харьковчан
В самом тексте комментариев, кроме матюков, прошло упоминание о "Стандартных IGBT модулях". Но что это конкретнно за модули -выяснить пока не удалось.
В комменте nikodim только и упоминается....

Устройства плавного пуска на IGBT ?? Слухи или да?

ТО, что плавный пуск асинхронных двигетелей нужен -уже ни у кого не вызывает сомнений! Даже самых ортодоксов кризис научил считать деньги не только на карманные расходы "сегодня", но и планировать необходимые "завтра".
Классически плавные пуски обычно исполнялись параметрическими, либо на тиристорах/тиристорных модулях.
От самых простых, зато доступных каждому бюджету, типа AST, до многофункциональных типа MCD500 Danfoss либо Altistart48 иже с ними..
Но пару раз попадались непроверенные ссылки на софт-стартеры на базе IGBT.
Только внятная документация отсутствовала. Посему, че это за утсройства -непонятно?
Если там полностью управляемые ключи переменного тока (типа Матричного преобразователя), так это, как в фильме "Кавказская пленница" -излишетсва нехорошие.
Если в одну из фаз включают выпрямительный мост последовательно, в диагонали которого стоит IGBT -вроде ничего нового, но вот с демпферами придется помудрствовать. Ведь без них перенапряжения, (о борьбе с ними тут написано)и связанная с ними головная боль.
Короче, пока не увижу схему своими глазами, продолжим считать устройства плавного пуска на IGBT модулях досужими базарами...