суббота, 25 декабря 2010 г.

Ветроэнергетика : преобразователи WindStack для ветрогенераторов

WindSTACK® - сборка для возобновляемых источников энергии и 4Q-конверторов
Технологии Semikron используются в более чем 50% ветроэнергетических установок по всему миру.
Интеллектуальные модули SKiiP наилучшим образом подходят для использования в ветроэнергетике. Это самые мощные силовые интеллектуальные силовые ключи на рынке, отличающиеся высокой надежностью и отличными техническими характеристиками.
Их применение позволяет разрабатывать преобразовательные устройства различного назначения с плотностью мощности более 12 кВт/л.
Как это сделано? Читайте...

пятница, 5 ноября 2010 г.

Semikron в Запорожье

Если верить этой информации, то получается, что Запорожье пытается вернуть себе статус "Столицы преобразовательной техники Украины"?? Иначе с чего бы это Андрей Колпаков приезжал?

SEMIKRON в Запорожье



Уважаемые коллеги!

11-го ноября в рамках выставки «ЭНЕРГИЯ 2010» будет проведен семинар, на котором основное внимание будет уделено следующим темам:

«Новые разработки SEMIKRON для применений высокой мощности»


/ Силовые сборки SKiiPRACK/WindSTACK + Модули SEMiX и драйверы SKYPER, V-IGBT /
Андрей Колпаков (старший техн.специалист, ООО СЕМИКРОН, Россия),

"SEMITOP -выгодная альтернатива дискретным полупроводниковым приборам"


Андрей Гладских (бренд-менеджер SEMIKRON, НПП Техносервиспривод)

Время и место проведения :

Начало семинара 11-30 в четверг 11-го ноября с.г. в Конференц-зале в крупнейшем выставочном центре юго-востока Украины «КОЗАК-Палац», который расположен в г.Запорожье на ул.Победы 70 Б.

Если Вы или Ваши сотрудники заинтересованы принять участие, просим сообщить заранее, чтобы обеспечить информационными материалами всех.

Сообщить об участии можно по любым нашим телефонам :
(044) 454 2559, 454 2448, 454 2517,
Е-мейл seminar@semikron.com.ua или
заполнив форму «Написать, позвонить» на сайте www.tsdrive.com

Постараемся ответить на все интересующие специалистов вопросы.

вторник, 23 февраля 2010 г.

16-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ

16-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ



Посвящается 125-летию со дня основания
Национального технического университета “Харьковский политехнический институт”
Крым, Алушта, 20-25 сентября, 2010

Поэтому принимать участие советуем категорически. Море в это время теплое!!!

Организаторы конференции
Национальная Академия наук Украины
Министерство образования и науки Украины
Отделение физико-технических проблем энергетики НАН Украины
Институт электродинамики НАН Украины
Национальный технический университет “Харьковский политехнический институт
Национальный технический университет Украины “Киевский политехнический институт”

Секции:
-Приборы и устройства силовой электроники
-Системы управления и контроля преобразователями электроэнергии
-Моделирование в силовой электронике и электроэнергетике
-Приборы и устройства биомедицинской электроники
-Технологии нано- и микроэлектроники
-Подготовка специалистов по электронике и электроэнергетике в высших учебных заведениях

Детальную информацию о конференции Вы сможете получить на сайте конференции www.promelectronika.kharkov.ua/conference

понедельник, 22 февраля 2010 г.

Высокотемпературный MOSFET CHT-PMOS3002

CISSOID, лидер в области высокотемпературных полупроводниковых решений, представила
VENUS, новое семейство транзисторов для высоких температур : 30V P-канальный -MOSFET

Транзисторы гарантированно работают от -55 ° C до 225 ° C. VENUS
МОП из семейства P-Channel Power CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004 и ТЭЦ -
PMOS3008 рассчитаны на соответственно 2A, 4A и 8 А максимального тока стока.
Они дополняют семейство Saturn N-канальных МОП, представленных компанией в ноябре 2009 года.
Мощные МОП от VENUS имеют відающиеся характеристики на высоких температурах . При 225 ° C, ток утечски по затвору у PMOS3002 остается ниже 50nA, причем его ток стока после выключения всего 10 мкА и задержка времени включения 30ns. Сопротивления в октрытом состоянии и входная емкость семейства нахоятся в диапазоне, соответственно, от 0.4Ω до 1.7Ω и от 150pF до 450pF.

Источник: Electronic Specifier
 
Сервер новостей по электронной тематике