16-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ

16-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ

Посвящается 125-летию со дня основания
Национального технического университета “Харьковский политехнический институт”
Крым, Алушта, 20-25 сентября, 2010

Поэтому принимать участие советуем категорически. Море в это время теплое!!!

Организаторы конференции
Национальная Академия наук Украины
Министерство образования и науки Украины
Отделение физико-технических проблем энергетики НАН Украины
Институт электродинамики НАН Украины
Национальный технический университет “Харьковский политехнический институт”
Национальный технический университет Украины “Киевский политехнический институт”

Секции:
-Приборы и устройства силовой электроники
-Системы управления и контроля преобразователями электроэнергии
-Моделирование в силовой электронике и электроэнергетике
-Приборы и устройства биомедицинской электроники
-Технологии нано- и микроэлектроники
-Подготовка специалистов по электронике и электроэнергетике в высших учебных заведениях

Детальную информацию о конференции Вы сможете получить на сайте конференции www.promelectronika.kharkov.ua/conference

Высокотемпературный MOSFET CHT-PMOS3002

CISSOID, лидер в области высокотемпературных полупроводниковых решений, представила
VENUS, новое семейство транзисторов для высоких температур : 30V P-канальный -MOSFET

Транзисторы гарантированно работают от -55 ° C до 225 ° C. VENUS
МОП из семейства P-Channel Power CHT-PMOS3002, CHT-PMOS3004 и ТЭЦ -
PMOS3008 рассчитаны на соответственно 2A, 4A и 8 А максимального тока стока.
Они дополняют семейство Saturn N-канальных МОП, представленных компанией в ноябре 2009 года.
Мощные МОП от VENUS имеют відающиеся характеристики на высоких температурах . При 225 ° C, ток утечски по затвору у PMOS3002 остается ниже 50nA, причем его ток стока после выключения всего 10 мкА и задержка времени включения 30ns. Сопротивления в октрытом состоянии и входная емкость семейства нахоятся в диапазоне, соответственно, от 0.4Ω до 1.7Ω и от 150pF до 450pF.

Источник: Electronic Specifier