Високовольтний діод на арсеніді галію? На нітриді галію є, вже бачили, а це - на "старому доброму" арсеніді.
The resulting GaAs diodes meet the requirements placed on power electronics in areas such as modern industrial applications, renewable energy generation, or fully electric or hybrid vehicles.
In the medium- and high-voltage range between 600- and 1700-Volts, they supplement silicon-based and silicon carbide-based power electronics and offer improved energy efficiency, while also reducing the weight, size, and overall cost of the respective complete system.
35PE, with its products and expertise, is in an excellent position to participate in the high level of growth predicted in the power electronics market. This growth is mainly expected to be achieved in the Far East.
Herausragende Eigenschaften der GaAs-Bauelemente
- Die Speicherladung von GaAs Leistungsdioden beträgt nur ein Siebtel derjenigen aus Si
- GaAs Leistungsdioden tragen doppelt so viel Strom in Stoßspannungstests
- Übergangskapazitäten von GaAs Dioden sind um den Faktor von 5 niedriger als bei SiC
- Kleine Chipflächen
- Niedrige Defektdichte
- Sehr geringer RSDon
Applikationen
GaAs Dioden, Transistoren und IGBT können für Schaltvorgänge und Energieübertragungen mit hohen Spannungen und hoher Stromtragfähigkeit eingesetzt werden, um deutlich höhere und effizientere Leistungen mit hoher Zuverlässigkeit zu erzielen.
http://3-5pe.com/
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